谷峰：新电改8年 长风破浪 未来可期

在很多传统电视厂商看来，谷峰改VR是一个巨大的噩耗，不过笔者却认为，VR对于他们来说是一个巨大的新机遇。

新电e）HOMO和LUMO的电子分布图以及通过DFT计算获得的DBPy-Me的几何构型。年长d）具有Ca和Au不对称源-漏电极的有机单晶晶体管的光学图像;基于α,ω-bis(biphenylyl)terthiophene单晶的双极晶体管的输出特性曲线。

b）BV掺杂工艺器件（顶部）和Al2O3调制层器件（底部）的横向p-n结示意图，风破不同BV掺杂浓度的转移曲线（上图），风破以及O2掺杂，BV掺杂和p-n结的器件转移特性的对比图。谷峰改图十八a）黑磷FET在Vg高于和低于VFB时的源极（Vs=0V）和漏极（Vg=0V）触点的带对准图和肖特基势垒示意图（左）及仅空穴传输（中）和电子传输的能带图示意图（右）。图九、新电双极型有机小分子以及有机单晶的化学结构 图十a）包含BDOPV受体和不同供体的分子结构。

年长d）基于CuPc/N-C60DFG架构的存储器晶体管的转移特性曲线。风破图十二a）DPP-benzotriazole共聚物（（1-C18）-DPP-（b-C17）-BTZ）的化学结构;基于（1-C18）-DPP-（b-C17）-BTZ薄膜（退火温度：110℃）的晶体管的转移特性曲线;（1-C18）-DPP-（b-C17）-BTZ（绿色）的电子和空穴迁移率与各种退火温度之间的关系。

谷峰改c）PN构型的器件电学性能及能带示意图。

然后总结了不同类型的双极型半导体材料的电学特性以及优缺点，新电最后介绍了双极型晶体管的四个功能性应用（双极型闪存、新电突触晶体管、逻辑器件以及发光晶体管）并强调了不同的材料体系与应用系统接下来面临的一系列挑战以及可能的解决方案。年长b）上述反相器在各种VDD值（1,2和3V）下的输出曲线。

风破d）基于单层WSe2和离子凝胶电介质的双电层晶体管的示意图。谷峰改（b）开尔文探针原子力显微镜测量WSe2和Au的表面电位的示意图。

新电 图二十六a）基于BP的突触晶体管的示意图和表示沿BP的互相垂直的x方向和y方向的转移特性曲线。年长c）双栅极PbS基晶体管进行单栅测试的输出特性：SiO2栅极（左图）或P（VDF-TrFE-CFE）栅极（右图）。